SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder

Habang ang teknolohiya ay bumuti, kamakailan para sa solid state high frequency welder ay nagpatibay ng ikatlong henerasyong materyal na semiconductor na tinatawag na SiC-MOSFET.

Ang Third Generation Semiconductor Materials SiC-MOSFET Performance Characteristics

1. Mataas na temperatura at mataas na pressure resistance: Ang SiC ay may malawak na band gap na humigit-kumulang 3 beses kaysa sa Si, kaya nagagawa nitong magkaroon ng mga power device na maaaring gumana nang matatag kahit sa ilalim ng mataas na temperatura. Ang lakas ng insulation breakdown field ng SiC ay 10 beses kaysa sa Si, kaya posibleng gumawa ng mga high-voltage power device na may mas mataas na doping concentration at mas manipis na film thickness drift layer kumpara sa Si device.

2. Miniaturization ng device at magaan: Ang mga Silicon carbide device ay may mas mataas na thermal conductivity at power density, na maaaring gawing simple ang heat dissipation system, upang makamit ang miniaturization ng device at magaan.

3. Mababang pagkawala at mataas na dalas: Ang dalas ng pagtatrabaho ng mga aparatong silicon carbide ay maaaring umabot ng 10 beses kaysa sa mga aparatong nakabatay sa silikon, at ang kahusayan ay hindi bumababa sa pagtaas ng dalas ng pagtatrabaho, na maaaring mabawasan ang pagkawala ng enerhiya ng halos 50%; Kasabay nito, dahil sa pagtaas ng dalas, ang dami ng mga peripheral na bahagi tulad ng inductance at mga transformer ay nabawasan, at ang dami at iba pang mga bahagi ng gastos pagkatapos ng komposisyon ng system ay nabawasan.

SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder Mga Kalamangan

1.60% na mas mababa ang pagkawala kaysa sa Si-MOSFET device, ang kahusayan ng welder inverter ay tumataas ng higit sa 10%, ang kahusayan ng welding ay tumataas ng higit sa 5%.

2. Malaki ang densidad ng kapangyarihan ng Single SiC-MOSFET, nababawasan ang dami ng natipon nang naaayon, na direktang binabawasan ang mga fault point at panlabas na electromagnetic radiation, at pinapabuti ang pagiging maaasahan ng inverter power unit.

3. Ang SiC-MOSFET ay makatiis ng boltahe na mas mataas kaysa sa orihinal na Si-MOSFET, ang welder DC rated boltahe ay nadagdagan nang naaayon sa ilalim ng premise ng pagtiyak ng kaligtasan(280VDC para sa parallel resonant welder at 500VDC para sa series resonant welder).Power factor ng grid side ≥ 0.94 .

4. Ang pagkawala ng bagong device ng SiC-MOSFET ay 40% lamang ng Si-MOSFET, sa ilalim ng ilang partikular na kondisyon ng paglamig, maaaring mas mataas ang frequency ng switching, ang series na resonant na Si-MOSFET welder ay gumagamit ng frequency double technology, gumagamit ng SiC-MOSFET na maaaring direktang magdisenyo at gumawa ng hanggang sa 600KHz high frequency welder.

5. Ang bagong SiC-MOSFET welder ay tumataas ang boltahe ng DC, ang grid side power factor ay mataas, ang kasalukuyang AC ay maliit, ang harmonic current ay maliit, ang gastos ng customer sa power supply at distribution ay lubhang nabawasan, at ang power supply efficiency ay epektibong napabuti.